Wenn der Vakuum-Ultraviolettlaser auf einen kleinen Strahlfleck fokussiert werden kann, kann er verwendet werden, um die Struktur mesoskopischer Materialien zu untersuchen und Nanoobjekte mit besserer Präzision herzustellen.
Um dieses Ziel zu erreichen, haben chinesische Wissenschaftler ein 177-Nanometer-VUV-Lasersystem erfunden, das bei langen Brennweiten einen Fokus im Submikronbereich erzielen kann.
Ein in&veröffentlichtes Forschungsergebnis "Light Science& Anwendungen" (LightScience& Applications) zeigt, dass Forscher ein photoelektrisches Emissionsmikroskopsystem mit 177 nmVUV-Laser-Scanning unter Verwendung einer sphärischen aberrationsfreien Streifenplatte mit einer langen Brennweite (–45 mm) entwickelt haben. Der Boden hat einen Brennpunkt von< 1 um.
Im Vergleich zur DUV-Laserquelle mit räumlicher Auflösung, die derzeit für ARPES verwendet wird, kann die 177-nm-VUV-Laserquelle die ARPES-Messung bei der Abdeckung eines größeren Impulsraums unterstützen und bietet eine bessere Energieauflösung.
Das VUV-Lasersystem hat eine extrem lange Brennweite (-45 mm), eine räumliche Auflösung im Submikronbereich (-760 nm), eine ultrahohe Energieauflösung (-0,3 meV) und eine ultrahohe Helligkeit (-355 MWm-2). Es kann direkt auf wissenschaftliche Forschungsinstrumente wie das photoelektrische Emissionselektronenmikroskop (PEEM), das winkelaufgelöste Photoelektronenspektrometer (ARPES) und das tiefe Ultraviolettlaser-Raman-Spektrometer angewendet werden.
Gegenwärtig hat das System die Eigenschaften des feinen Energiebandes verschiedener neuer Quantenmaterialien wie des quasi eindimensionalen topologischen Supraleiters TaSe3, der m Familie der magnetischen topologischen Isolatoren (MnBi2Te4) (Bi2Te3) usw. offenbart.